查看 PDF HTML（实验性）摘要：DRAM 读取干扰，如 RowHammer 和 RowPress，是一个关键的鲁棒性问题，访问 DRAM 可能会导致其他未访问的 DRAM 位置发生意外的位翻转。DRAM 读取干扰位翻转显著影响基于 DRAM 的计算系统的安全、可靠和稳定的运行。许多先前的研究通过实验特性描述了这些位翻转并提出基于经验结果的缓解措施。其他设备级的研究则研究了其潜在的物理机制，但这些机制并未完全解释所有主要的经验观察。我们的目标是弥合实验特性与 RowHammer 和 RowPress 的设备级建模和理解之间的差距，为未来关于理解、描述和缓解 DRAM 读取干扰的研究提供一个原则性的基础。我们首先识别并展示了现有设备级模型所描述的 RowHammer 和 RowPress 的物理机制与其位翻转的实验特性之间的差距和不一致之处。我们专注于三项基本指标，这些指标应该映射到一阶物理机制：1）位翻转方向，2）位翻转计数，以及 3）触发第一次位翻转所需的最小攻击行激活次数（即 ACmin）。其次，我们呈现了一套全面且严格的 TCAD 模拟，与 RowHammer 和 RowPress 位翻转的实验特性相匹配。根据我们的结果，我们 1）总结了更新的设备级错误机制，以理解 RowHammer 和 RowPress 位翻转，以及 2）识别出显著影响模拟结果是否与实际芯片特性匹配的关键建模和模拟参数。我们讨论了对 1）DRAM 读取干扰位翻转的严谨、全面和高效的实验特性方法的影响，以及 2）DRAM 读取干扰缓解技术设计的影响。主题：硬件架构（cs.AR）；密码学与安全（cs.CR）引用为：arXiv:2607.28233 [cs.AR]（或 arXiv:2607.28233v1 [cs.AR] 版本）https://doi.org/10.48550/arXiv.2607.28233 arXiv 发布的 DOI 通过 DataCite（待注册）提交历史来自：霍聪·罗 [查看电子邮件] [v1] 2026年7月30日 星期四 14:03:18 UTC（1,778 KB）