2026年6月30日星期二，位于韩国城南的SK海力士公司办公室的标识。SeongJoon Cho | Bloomberg | Getty Images SK海力士周五表示，将投资54万亿韩元（约合381亿美元）建设两座新的存储芯片制造工厂，随着对这些关键AI组件的需求不断增长。该韩国科技巨头宣布将投资35.2万亿韩元在永仁建设一座名为“Y2”的晶圆厂，另有19.1万亿韩元预算用于在清州的名为“M17”的设施。这一公告是在内存价格因供应短缺和来自建立AI基础设施（如数据中心）及需要大量高带宽内存（HBM）的芯片公司（如Nvidia）的巨大需求推动下迅速上涨的背景下发布的。内存价格的飙升导致主要生产商——SK海力士、三星和美光——的股价大幅上涨，因为投资者押注供需失衡将在一段时间内持续。永仁Y2是SK海力士计划在永仁半导体集群内建造的四座晶圆厂中的第二座。该公司表示，它将作为动态随机存取内存（DRAM）的生产基地，该产品的需求非常旺盛。SK海力士将在2027年7月动工建设，并在2029年6月开设其第一个洁净室，以生产HBM和其他下一代DRAM产品。洁净室是一个受控环境，对于芯片制造至关重要。SK海力士表示，清州工厂将生产NAND内存，公司的数据显示，该产品的“需求正在迅速激增”。清州M17晶圆厂将在2027年2月开工，第一座洁净室预计在2028年12月投入使用。SK海力士在新闻发布会上表示：“在AI时代，仅有技术竞争力是不够的，能够在客户需要的确切时刻提供所需的数量是最终的竞争优势。我们在对市场需求进行全面审查后做出了这一投资决定。”此次投资是该公司去年宣布的“总体规划”的下一阶段，该规划将使SK海力士在永仁半导体集群投资600万亿韩元，并在清州生产基地扩张投资100万亿韩元。