英特尔7110磁性泡沫存储模块。泡沫存储器是一种非易失性计算机存储器，利用一层薄膜磁性材料来保持称为泡沫或域的小磁化区域，每个区域存储一位数据。该材料被排列成一系列平行轨道，泡沫可在外部磁场的作用下沿轨道移动。泡沫通过移动到材料的边缘进行读取，此时可以通过常规磁拾取器读取，然后在远边重新写入以保持存储的循环。在操作中，泡沫存储器类似于磁鼓和延迟线存储系统。泡沫存储器在1970年代起初是一种前景广阔的技术，提供类似于内存的性能、类似于硬盘的存储密度，并且没有移动部件。这使许多人认为它是用于所有存储需求的“通用内存”的竞争者。1970年代初期更快的半导体存储芯片的问世使泡沫存储器陷入了速度较慢的境地，并开始被视为主要替代磁盘的技术。1980年代初，硬盘容量的同样显著提升使其在价格方面对于大规模存储失去了竞争力。泡沫存储器在1970年代和1980年代被用于一些其无移动特性因维护或抗震理由而被看中的应用。闪存和类似技术的引入使得即使这个小众市场也失去了竞争力，泡沫存储器在1980年代末完全消失。泡沫存储器主要是由一个人安德鲁·博贝克的构思。他在1960年代参与了许多与磁性相关的项目，其中两个项目使他在开发泡沫存储器时处于特别有利的位置。第一个是开发出第一个由晶体管驱动控制器的磁心存储系统，第二个是开发出扭转存储器。扭转存储器本质上是某种形式的内存，以磁带的片段替代“核心”。扭转存储器的主要优势在于它可以由自动化机器组装，而与几乎完全手动组装的内存相对。AT&T对扭转存储器寄予厚望，相信它将极大降低计算机内存的成本，使其在行业中处于领先地位。然而，DRAM内存在1970年代初问世，迅速取代了所有以前的随机存取存储器系统。扭转存储器最终仅用于少数应用，其中许多是AT&T自己的计算机。生产中注意到扭转概念的一个有趣副作用是：在某些条件下，在磁带内部的一个电线中通过电流将导致磁带上的磁场朝电流方向移动。如果正确使用，它允许存储的位被推动沿着磁带移动并从末端弹出，形成一种延迟线存储器，但发射的场是由计算机控制的，而不是按照材料使用的设定速率自动推进。然而，这种系统相比扭转存储器几乎没有优势，尤其是因为它不支持随机访问。泡沫域可视化通过使用CMOS-MagView泡沫存储器驱动线圈（绕组或场线圈）和导向（在此情况下为T形导向）。导向或传播元素位于磁膜之上，磁膜位于基底芯片之上。该结构被安装到电路板上（未显示），然后被两个绕组包围，分别以黄色和蓝色显示。1967年，博贝克加入贝尔实验室的一个团队，开始改进扭转存储器。扭转存储器的存储密度是导线大小的函数；任一导线的长度决定了它能容纳多少位，许多这样的导线并排放置，以生成更大的存储系统。传统的磁性材料，如用于扭转存储器的磁带，允许磁信号被放置在任何位置并在任何方向上移动。与镍铁合金薄膜一起工作的保罗·查尔斯·迈克利斯发现可以在薄膜内以正交方向移动磁信号。这一开创性工作导致了专利申请。该内存设备和传播方法在1967年9月15日于马萨诸塞州波士顿举行的第十三届磁性和磁性材料年会上发表。该设备使用各向异性薄磁膜，需要不同的磁脉冲组合来实现正交传播方向。传播速度还依赖于硬磁轴和易磁轴的方向差异。这一差异表明，制作一种类似于移动域扭转概念的内存系统是可取的，但使用单一块......