这项新技术看起来令人印象深刻，但大部分将被AI数据中心吞噬。三星以前发布最新的3D内存或V-NAND存储时总是令人期待，因为我们可以期待我们的电脑启动更快，文件加载更快。现在，这家公司刚刚宣布其新的下一代内存和存储，尽管新技术看起来令人印象深刻，但知道大部分将被AI数据中心吞噬令人沮丧。在圣克拉拉举行的内存和存储未来（FMS）展会上，三星展示了基于主要用于数据中心、AI加速器和少量高端GPU的HBM内存的zHBM首个概念模型。zHBM是一种新型内存架构，将HBM垂直堆叠在AI加速器上方（而不是像以前那样并排堆叠），这有助于将性能提升到八倍。它还使用了下一代晶圆粘合技术，使得内存密度超过当前HBM5技术的10倍，同时将能效提高三倍。三星还展示了一种用于SSD、内存卡和其他类型存储的新型V-NAND内存。它被称为V10 BV-NAND，使用公司的新粘合V-NAND架构堆叠超过400层的内存单元。这比之前的V9代增加了约58%的内存密度，同时提升了读取、写入和I/O性能。该公司还推出了zNAND-O，这是一种下一代V-NAND解决方案，结合了“高空间效率、改进的I/O性能和低延迟，旨在边缘AI环境下使用。最后，三星展示了LPDDR5X-PIM，这是行业首款具有存储中处理技术的LPDDR内存，旨在提高内存内部的数据处理效率。与SK海力士一起，三星是两家控制大多数内存生产的公司。正如Engadget的读者所知，这两家公司未能跟上当前AI泡沫产生的内存需求。这反过来导致各种电子产品的疯狂价格，从游戏机到智能手机再到笔记本电脑。