IBM的NanoStack亚纳米芯片到来了 IBM关注ZDNET：将我们添加为Google上的首选来源。 ZDNET的关键要点： .ibm的亚1纳米NanoStack架构在芯片上拥有近1000亿个晶体管。这些芯片的运行成本低于之前的几代产品，同时性能更强大。 NanoStack技术将非常适合部署人工智能工作负载。 台积电(Intel) 和三星(TSMC) 都在推动在未来两年内生产低单纳米芯片，并计划在十年末之前生产亚纳米芯片。然而，这场竞争可能在开始之前就已结束。 IBM在VLSI 2026会议前发布了他们所称的世界上第一个基于全新3D NanoStack晶体管架构的亚1纳米芯片技术，节点为0.7纳米——或7埃。该研究设备设计用于在指甲大小的芯片上容纳近1000亿个晶体管，约是IBM早期2纳米测试芯片的密度翻倍，后者于2021年首次展示。如今，最小、最强大的芯片的晶体管数量约为80亿。 此外，为什么您的内存选项现在的价格比去年的高了4倍——即使是旧科技的价格也未能幸免。 小芯片的重要性何在？ 它们的价值在于可以在给定区域内放置更多的晶体管，同时使用更少的功率，这会转化为更高的性能、更低的能耗和每单位计算的更低成本。如果您在石头下生活过，人工智能对低功率、廉价芯片的需求是巨大的，这些芯片有着庞大的市场。 从纳米片到“纳米堆” 此次公告的核心是NanoStack。这是一种基于纳米片的三维晶体管设计，通过堆叠和错开CMOS设备在Z轴上垂直扩展。与IBM也曾引领并被主要代工厂采用的当今纳米片架构（例如3纳米和2纳米）不同，NanoStack将两个纳米片晶体管结合成一个垂直结构，每层独立优化并从对面接触。由于前后设备可以使用不同的通道材料、介质和金属，IBM认为，NanoStack不仅是一个单一的技术，而是一个可以通过多代扩展的晶体管平台：7埃，5埃，3埃，甚至可能在其内部路线图上降至1埃。 顺便提一下，一个埃是十亿分之一米。就芯片而言，一个埃是十分之一纳米。 “这是世界上第一个基于新晶体管架构的亚1纳米芯片技术，”IBM研究和IBM Fellow的主管Jay Gambetta在新闻发布会上说。“我们不仅仅是在制造更小的晶体管，我们正在重新发明芯片的构建方式，以实现更强大的功率和能效。” 预计的收益：性能、效率和SRAM密度 IBM将0.7纳米技术定位为超越当今纳米片节点的重要一步，而不仅仅是一次增量缩小。基于对其2纳米节点的内部基准测试，该公司表示其新芯片将在相同功率下提供高达50%的更高性能，或以相同性能降低高达70%的功率。Big Blue还强调，相对于其2纳米技术，静态随机存取内存(SRAM)单元面积的缩放提高了40%。IBM称这一变化是“行业十多年来未见的步伐”，而对于依赖芯片内存带宽的人工智能加速器来说尤为重要。 在实验室中，IBM表示它已经通过在CMOS过程中使用超薄介质键合实验验证了该架构，展示了堆叠设备之间的双通道工程，并展现了具有预期开关行为的功能CMOS反相器。“这些结果共同确认了纳米堆技术可以在物理上构建并支持实计算，”该公司在其新闻材料中表示。 埃级缩放、高数值孔径EUV和材料 IBM明确表示，“0.7纳米”和“7埃”应被视为代际节点名称，而非字面上的栅极长度或间距，这与行业普遍趋势保持一致，即将节点标签与特定的物理尺寸解耦。公司内部表示，它将NanoStack的关键尺寸（例如栅极间距和接触栅极间距）与预计的1纳米级节点进行基准测试，然后通过垂直扩展推动缩放。为了实现这一目标，Albany研究线在先进的光刻和材料工作上大力投入。IBM及其在纽约的合作伙伴，包括ASML、Lam Research、东京电子和SCREEN，已经在安装一种高数值孔径EUV工具。