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SK Hynix pledges $38 billion to build two new DRAM and NAND factories

SK海力士承诺投资380亿美元建设两座新DRAM和NAND工厂

Engadget2026年8月7日 12:42

该公司表示,新工厂将帮助其跟上对内存产品迅猛增长的需求。Poetra.RH/Shutterstock SK海力士宣布将投资54万亿韩元(约合381亿美元)在韩国建设两座新内存芯片设施。该公司是全球第二大RAM和NAND芯片制造商,仅次于三星,表示新工厂将帮助其跟上因AI数据中心繁荣而导致的内存产品的爆炸性需求。SK海力士的官员表示,首个洁净室将于2029年6月开始生产。该公司表示,将在龙仁的制造厂投资35.2万亿韩元(约合249亿美元)以生产HBM和其他DRAM产品,并在清州投资19.1万亿韩元(约合132亿美元)用于制造NAND存储芯片。SK海力士的一位官员在声明中表示:“这项投资是为了把握与市场增长速度相一致的机会……我们在经过对市场需求的全面审查后做出了这一投资决定。”鉴于对AI内存产品的巨大需求导致价格飙升,新设施的建设似乎是毫无疑问的。这些价格的上涨为三星、SK海力士和美光等公司带来了巨额利润,但也导致智能手机、游戏机和个人电脑等消费品的价格飞涨。不过,SK海力士押注于AI繁荣将在未来继续,尽管分析师对泡沫可能破裂的担忧不断增加。不过,新的生产线要在几年后才能投入使用,因此短期内价格不会下降。“由于需求增长速度超过预期产能,内存价格在2028年底之前不太可能松动,”Counterpoint Research的分析师Neil Shah告诉CNBC。还有一个原因是PC制造商和其他人短期内可能不会看到价格缓解。为了追求更高的利润,三星和SK海力士等制造商将大部分芯片分配给数据中心公司。美光就是一个例子,著名地放弃了消费内存市场,全力专注于AI产品。

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