东京 - Kioxia 公司，全球领先的内存解决方案提供商，今天宣布已开始发货 1Tb（太比特）三层单元（TLC）内存设备样品，采用其第十代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术。1这些设备将主要集成到公司的企业和数据中心 SSD 中，加强 Kioxia 的产品线，以满足对人工智能存储日益增长的需求，这要求更高的性能、更高的容量和更低的功耗。这些新产品将在 Kioxia 位于日本岩手县北上的 Fab2 工厂使用最先进的设备制造。通过利用创新的 CMOS 直接与阵列连接（CBA）技术 2 和选门排水（OPS）技术 3，两个技术自第八代 BiCS FLASH™ 开始使用，第十代技术实现了 4.8 Gb/s 的 NAND 接口速度 4，比第八代提高了 33%。通过堆叠 332 层和提高横向密度，比特密度增加了 59%。此外，写入和读取功效分别提高了 18% 和 30% 5，有助于降低数据中心和企业基础设施的功耗。通过其独特的双轴战略，Kioxia 正在同时推进两条不同的产品线：其第九代解决方案，在相对较低的投资成本下提供高性能，以及其第十代技术，利用先进的层堆叠实现巨大的容量和卓越的性能。受到“用‘内存’提升世界”的使命指引，Kioxia 始终致力于推动技术创新，加强全球合作伙伴关系，并提供推动现代人工智能基础设施的先进存储解决方案。这些样品用于功能测试。