东京和加州米尔皮塔斯——Kioxia公司（Kioxia Holdings Corporation的子公司，东京证券代码：285A）与SanDisk公司（纳斯达克代码：SNDK）今日宣布在日本岩手县Kitakami工厂Fab2开始生产第10代3D闪存技术。这一里程碑的节点标志着两家公司在推动重大、长期位增长以满足其创新闪存技术强劲需求方面的持续努力。与生产开始的同时，公司还为K2设施举行了揭幕仪式。该设施将在2025年9月开业，之前已生产了两家公司的第8代3D闪存产品，并将通过引入第10代产品开始扩大生产。这两代3D闪存均采用创新的CBA（CMOS直接连接阵列）技术，具有高性能、高容量和低功耗。Fab2设施具有抗震建筑结构和利用尖端节能制造设备的设计，使用人工智能提升生产效率，并采用空间高效的设施设计，扩大了洁净室内可用于制造设备的空间。Kioxia和Sandisk最近宣布将其合资企业框架扩展至2034年12月。Sandisk和Kioxia的合作关系推动了数十年的NAND闪存创新。对K2工厂的持续投资将促进这一合资企业的长期成功，并有能力在规模上和稳定性上提供尖端闪存技术的创新。