加利福尼亚州圣克拉拉——内存和存储的未来会议（FMS）——Kioxia公司，Kioxia Holdings Corporation（东京：285A）的子公司，以及Sandisk公司（纳斯达克：SNDK）今天揭晓了他们的下一代四级单元（QLC）3D闪存技术，与第八代相比，比特密度提高了60％，超过了37 Gb/mm²，成为比特密度、性能和能效的行业基准。利用两家公司革命性的CMOS直接粘合到阵列（CBA）技术，在高精度的晶圆对晶圆对准下，在不同晶圆上制造CMOS逻辑和存储阵列，新的技术改善了与第八代3D闪存相比的读写带宽，并成为行业首个达到4.8 Gb/s接口的QLC 3D闪存技术。Kioxia的首席技术官宫岛秀之表示：“随着AI继续成为社会进步的基础，其应用正在从生成式AI扩展到基于代理的和物理AI，而数据使用变得越来越多样化和复杂。QLC技术能够高效存储快速扩张的数据量，帮助AI系统实现更好的性能和可扩展性。Kioxia将加快第十代闪存产品的商业化发展，结合QLC技术。”Sandisk的首席技术官Alper Ilkbahar表示：“随着AI训练、推理和超大规模数据中心工作负载推动数据生成的前所未有的增长