文章发表日期：2026年6月29日 Junseok Seo 1 na1 , Armel A. Cotten 2 na1 , Shenyong Ye ORCID: orcid.org/0009-0003-7384-9654 1 na1 , Mingchi Xu 2 , Omid Sharifi Sedeh ORCID: orcid.org/0000-0001-5766-8798 2 , Henok Weldeyesus ORCID: orcid.org/0009-0008-6276-1338 2 , Tonghang Han ORCID: orcid.org/0009-0004-2111-8769 1 , Zhengguang Lu ORCID: orcid.org/0000-0001-9451-9919 1 , 3 , Zhenghan Wu 1 , Wei Xu 1 , Jixiang Yang ORCID: orcid.org/0000-0002-0392-2225 1 , Emily Aitken 1 , Prayoga P. Liong 1 , Phatthanon Pattanakanvijit 1 , Zach Hadjri 1 , Rasul Gazizulin ORCID: orcid.org/0000-0002-4874-4610 4 , 5 , Kenji Watanabe ORCID: orcid.org/0000-0003-3701-8119 6 , Takashi Taniguchi ORCID: orcid.org/0000-0002-1467-3105 7 , Mingda Li ORCID: orcid.org/0000-0002-7055-6368 8 , Dominik M. Zumbühl ORCID: orcid.org/0000-0001-5831-633X 2 & … Long Ju ORCID: orcid.org/0000-0002-4691-1315 1 Nature (2026) 引用这篇文章 我们提供了这篇手稿的未编辑版本，以便提前访问其发现。在最终出版之前，这篇手稿将 undergo 进一步编辑。请注意，可能存在影响内容的错误，并适用所有法律免责声明。 摘要 在某些非常规超导体中，时间反演对称性可以与规范对称性一起被破坏，从而导致可以通过磁场增强或诱导的超导性。然而，比起巴丁-库珀-施里弗超导体，场增强型超导体对杂质更为脆弱。晶体菱形多层石墨烯是探索它们的一个有前途的平台，因为其优越的材料质量和门控可调的强关联效应。我们报告了对菱形四层和五层石墨烯的传输测量，显示出一系列干净极限的超导性。我们在五层中发现了三种不同类型的场增强和场诱导的超导性。它们在平面场强度高达8.5特斯拉时都表现出强韧性，超过了保利极限的数十倍。与仅显示平面场增强的伯纳尔双层石墨烯相比，五层石墨烯具有同时受到平面和垂直于平面的场增强的超导体。由于其本征的平坦能带色散，它们也在较低的门电场下存在，促进了它们的研究和进一步的工程。此外，我们观察到，邻接自旋-轨道耦合（SOC）可以在不引入额外无序效应的情况下产生多个新的超导体。 我们的工作在菱形石墨烯中建立了一个新的增益磁场超导体家族。利用中等门电压的高可接触性，这将为通过界面工程实现非阿贝尔准粒子铺平道路，因为邻接SOC导致拓扑态并保持晶体石墨烯的超高质量。 这是订阅内容的预览，访问请通过您的机构获取 access 选项 访问自然和54个其他自然期刊 获取 Nature+，我们的最佳在线访问订阅 $32.99 / 30天 随时取消 订阅此期刊 接收52期印刷期刊和在线访问 每年仅需$199.00，折合每期$3.83 租借或购买此文章 价格视文章类型而异，从$1.95到$39.95 价格可能需支付结账时计算的地方税 其他访问选项： 登录了解机构订阅 阅读我们的常见问题 联系客户支持 作者信息 作者备注 这些作者同等贡献：Junseok Seo, Armel A. Cotten, Shenyong Ye 作者及院系 麻省理工学院物理系，美国马萨诸塞州剑桥市 Junseok Seo, Shenyong Ye, Tonghang Han, Zhengguang Lu, Zhenghan Wu, Wei Xu, Jixiang Yang, Emily Aitken, Prayoga P. Liong, Phatthanon Pattanakanvijit, Zach Hadjri & Long Ju 巴塞尔大学物理系，瑞士巴塞尔 Armel A. Cotten, Mingchi Xu, Omid Sharifi Sedeh, Henok Weldeyesus & Dominik M. Zumbühl 佛罗里达州立大学物理系，美国佛罗里达州塔拉哈西 Zhengguang Lu 佛罗里达大学物理系，美国佛罗里达州 gainesville Rasul Gazizulin 国家高磁场实验室高B/T设施，美国佛罗里达州 gainesville Rasul Gazizulin 国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心，日本筑波 Kenji Watanabe 国家材料科学研究所材料纳米架构研究中心，日本筑波 Takashi Taniguchi 麻省理工学院核科学与工程系，美国马萨诸塞州剑桥市 Mingda Li 作者 Junseok Seo Armel A. Cotten Shenyong Ye Mingchi Xu Omid Sharifi Sedeh Henok Weldeyesus Tonghang Han Zhengguang Lu Zhenghan Wu Wei Xu Jixiang Yang Emily Aitken Prayoga P. Liong Phatthanon Pattanakanvijit Zach Hadjri Rasul Gazizulin Kenji Watanabe Takashi Taniguchi M