三大内存制造商中的两家正在美国半导体基础设施的生产链两端投入资金。美光在7月承诺将最多投入30亿美元用于国内供应链投资，主要通过在德克萨斯州的一项原材料硅晶圆交易得以支持，而SK海力士则准备在印第安纳州开工建设其先进的HBM封装工厂，预计将在本季度开始建设。美光与环球晶圆（GlobalWafers）达成的300mm原材料硅供应协议，美光计划在国内半导体供应链生态系统中投入最多30亿美元。资本配置的一个核心组成部分包括5亿美元的战略融资，专门用于环球晶圆有限公司。这笔资金将支持环球晶圆在德克萨斯州谢尔曼市的300mm原材料硅晶圆制造设施的发展和量产能力。除了融资，美光和环球晶圆还完成了一项为期10年的供应协议。该多年合同确保了300mm原材料硅晶圆产能的专用分配，以支持美光的长期内存和存储制造计划。两家机构还计划评估围绕下一代晶圆规格和工艺创新的联合开发计划，以应对未来的制造公差。美光的高级副总裁和首席采购官本·泰松表示：“确保关键输入材料的可靠供应对支持美光的长期增长和技术路线图至关重要。” 环球晶圆董事长兼首席执行官徐多丽对国内角度进行了更为明确的描述，称该公司当前是美国芯片计划中能够在本地生产先进300mm晶圆的唯一供应商。这使得美光在其DRAM和NAND产出所依赖的基板上拥有了国内上游渠道。SK海力士准备在印第安纳州破土动工的先进封装工厂，在生产链的封装端，SK海力士正在准备在印第安纳州西拉法耶特市开工建设其高级芯片封装和研发设施。尽管SK海力士尚未通过其新闻发布平台宣布具体日期，但预计仪式将在第三季度举行。该地块紧邻普渡大学，占地133.5英亩，计划在2028年下半年开始量产。SK海力士在与印第安纳州签署协议时将投资额定为38.7亿美元，现在将其描述为约40亿美元，称这是该州历史上最大的单一开发项目。其项目页面预计将创造大约7000个直接和间接的工作岗位，涵盖施工、研发和运营，而原始协议中引用的则是超过1000个永久设施岗位。该设施专注于高带宽内存（HBM）的先进封装，HBM通过硅通孔（TSVs）将多个DRAM芯片垂直叠加，以实现现代企业GPU和AI加速器所需的高吞吐量和低延迟互连。商务部在2024年8月同意了一项初步条款备忘录，涵盖高达4.5亿美元的直接融资，另加高达5亿美元的贷款，然后在12月最终确定授予高达4.58亿美元的直接融资，贷款上限不变。SK海力士表示，该工厂将使美国首次实现HBM制造，并与普渡大学建立了研究合作伙伴关系。 此次投资的韩方部分与印第安纳州的投入相比显得微不足道。8月7日，该公司承诺在国内投资54万亿韩元，约合380亿美元，用于新建两座晶圆厂：35.2万亿韩元用于龙仁市的Y2，19.1万亿韩元用于清州市的M17。这一拆分对各自的供应也很重要。Y2是涵盖HBM和下一代DRAM的DRAM芯片厂，而M17则是专门针对企业SSD和AI推理的KV缓存存储。不论如何，两者都不会在短期内落成。M17预计在2027年2月破土动工，2028年12月启动其首个洁净室，Y2则将在2027年7月破土动工，2029年6月投入洁净室，投资将持续至2031年。综合美光的晶圆协议、SK海力士的印第安纳州封装厂以及这两家韩国的晶圆厂，几乎在2028年前都不会有实际落地。SK集团董事长崔泰源在接受CNBC采访时，将当前市场形容为“像战争”，每个人都想要购买内存，并表示价格“上涨得太快”，此次扩建旨在提供帮助。他还指出，HBM正在摆脱商品地位，NVIDIA和谷歌都希望获得与其处理器共同设计的定制零件。NVIDIA已锁定供应，与SK集团达成了一项价值5000亿美元的协议，以共同开发下一代内存。印第安纳州的投入可能并不是终点。SK集团董事长崔泰源在8月接受CNBC采访时表示，公司已花费一个多月的时间研究可能的美国前端晶圆厂地点，他表示愿意建设，但仍需找到合适的地方。目前没有任何承诺，印第安纳州的工厂依然是封装而不是晶圆制造。